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ITO跟LED有什么关系？ITO是一种半透明的电极材料，具备低的导电亲率、低的红外线利用亲率、低的机械硬度和较好的化学稳定性。目前ITO膜主要是为了提升LED的出光效率。Burstein－Moss效应是什么？Burstein－Moss效应：当半导体轻掺入时，费米能级转入导带，本征光吸收边向高能方向移动的现象。在普通掺入的半导体中，费米能级坐落于导带与价带之间。
当n型掺入浓度上升时，由于电子在导带中核心区，费米能级不会渐渐被推向导带之中（可以非常简单的解读成冰块（费米能级）被减少的水（电子）引到高位）。什么是前躯体（precursor）？前躯体所指的是用来制备、制取其他物质的经过类似处置的因应材料。日前中山大学的研究人员发明者了一种使用金属有机气相沉积（MOCVD）制取LED结构中氧化铟锡膜（ITO）的工艺，这种方法可以有效地的强化UVLED的半透明导电特性。
一般来说UVLED按照波长分成UVAUVBUVC三种类型。目前主要用作水洁净化、生物消毒消毒、医用医疗、紫外化疗等领域。研究过程尽管ITO在可用光谱区域里是一种半透明导电层材料，但是对于紫外区域，ITO的半透明特性就不会渐渐减少。
因此，中山大学团队设法用于MOCVD技术将光学禁带的宽度拓宽到4．7eV。该禁带所唤起出有的光子波长正好在紫外区域内（364nm）。一般来说UVLED按照波长分成UVAUVBUVC三种类型。
目前主要用作水洁净化、生物消毒消毒、医用医疗、紫外化疗等领域。图190nmMOCVD工艺ITO膜的光电特性（a）锡流速（Snflowrate）对于电子密度和迁移率的影响（b）MOCVD工艺ITO膜中的UV红外线利用亲率与有所不同的锡流速。
（c）有所不同工艺下的ITO光学禁带对比中山大学团队首先在蓝宝石表面用于MOCVD技术（生长环境温度为500°C左右）生长90nmITO膜，前躯体为三甲基铟（trimethylindium）、四甲基锡（tetrakis－dimethylaminotin）、以及氧氩混合气体。最后扣除的材料表面附有类金字塔形状（100）和三角形形状（111）的颗粒。
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